Vorrichtung zum Plasmabeschichten

Vorrichtung (1) zum Plasmabeschichten einer Oberfläche (2) eines Substrats (3) im Plasmaspritzverfahren, wobei zwischen zumindest zwei eine Anode und eine Kathode bildenden Elektroden der Vorrichtung (1) durch Anlegen einer Spannung ein Lichtbogen erzeugbar ist und wobei die Vorrichtung (1) eine Gas...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Klimek, Klaus Stefan, Keller, Silvano, Vogelsang, Reinhard, Amsberg, Jan
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Vorrichtung (1) zum Plasmabeschichten einer Oberfläche (2) eines Substrats (3) im Plasmaspritzverfahren, wobei zwischen zumindest zwei eine Anode und eine Kathode bildenden Elektroden der Vorrichtung (1) durch Anlegen einer Spannung ein Lichtbogen erzeugbar ist und wobei die Vorrichtung (1) eine Gaszuführung und eine Zuführung (10) für ein auf der Oberfläche (2) abzuscheidendes Material aufweist, welches durch ein auf Plasmatemperatur erhitztes Gas aufschmelzbar ist, sodass geschmolzene Partikel des Materials mittels eines Zerstäubergasstrahls (12) durch eine Zerstäubergasaustrittsöffnung (14) der Vorrichtung (1) in Richtung der Oberfläche (2) des Substrats transportierbar und dort abscheidbar sind, wobei die Vorrichtung (1) zum Aufschmelzen eines pulverförmigen Materials und/oder eines drahtförmigen Materials mit zumindest einer weiteren, im Bereich der Zerstäubergasaustrittsöffnung (14) angeordneten Elektrode (11) zur Erzeugung eines Hilfslichtbogens ausgestattet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (1) mehrere am Umfang der Zerstäubergasaustrittsöffnung (14) verteilte Düsen (15) aufweist, durch die ein den Zerstäubergasstrahl (12) außenseitig tangierender oder einschließender Hilfsgasstrahl bedarfsweise zuführbar ist. The device (1) has anode (8) and cathode (9) that are applied with voltage arc. A gas supply unit and material supply unit (10) are separated from one another on coating surface (2) of substrate (3). The material fed by material supply unit is melted by heated gas received through atomizing gas release aperture at plasma temperature, so that melted particles of material are applied to coating surface through atomizing gas jet (12). The wire-shaped or powder material is selectively processed in the region of electrode (11) that generates auxiliary voltage arc to melt material.