Process for masking first recesses of a structure comprises applying a filler layer on a structure so that a hollow space is formed in the first recesses, and removing the filler layer up to the region of the hollow space by etching

Masking first recesses of a structure having large aspect ratio comprises applying filler layer (5) so that a hollow space (6) is formed in first recesses, and removing filler layer up to hollow space region by etching. Etching is also carried out in hollow space, and filler layer is removed more quickly from first recesses than from further recesses. Etching process is stopped after removing filler layer from first recesses. Preferred Features: The etching process is an isotropic etching process. The structure has connectors (4) having a sacrificial layer applied on the surface before applying the filler layer. The filler layer is a silicon oxide layer deposited using a TEOS process. Es wird ein Verfahren zur selektiven Maskierung beschrieben. Dabei wird ein Füllmaterial auf eine Struktur aufgebracht, die in Abhängigkeit von dem Aspektverhältnis der Struktur Hohlräume bei einem großen Asbestverhältnis ausbildet. Anschließend wird die Füllschicht bis auf die Hohlräume abgetragen und über einen Ätzvorgang Füllmaterial aus den Ausnehmungen, in denen die Hohlräume ausgebildet sind, vollständig entfernt. Auf diese Weise werden Bereiche selektiv freigelegt.