Ein Halbleiterbauelement mit einer Feldstoppzone in einem Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung einer Feldstoppzone in einem Halbleiterkörper

Halbleiterbauelement, aufweisend:- einen Halbleiterkörper (11, 21) mit einer ersten Seite (12, 22) und einer zur ersten Seite (12, 22) gegenüberliegenden zweiten Seite (13, 23),- eine Feldstoppzone (14, 27) in dem Halbleiterkörper (11, 21), ausgebildet mit einem als Donator wirkenden Sauerstoff/Leerstellen-Komplex über eine Strecke L von mindestens 10 µm Länge entlang einer Richtung (X) von der ersten Seite (12, 22) zur zweiten Seite (13, 23), wobei die Feldstoppzone über die Strecke L eine Sauerstoffkonzentration im Bereich von 1 × 10cmbis 5 × 10cmaufweist, wobei der Halbleiterkörper (11, 21) eine Grunddotierung mit einer Grunddotierstoffkonzentration (30) aufweist und die Feldstoppzone (14, 27) eine zur Grunddotierstoffkonzentration (30) höhere Dotierstoffkonzentration aufweist. The component (10) has a dopant region (14) i.e. field stop zone, is formed in a semiconductor body (11). The dopant region is formed with an oxygen or vacancy complex for distance (L) of about 10 microns along a direction from an upper side (12) of the semiconductor body to a lower side (13) of the semiconductor body. The dopant region comprises oxygen concentration within a range of 1*1017 cm -> 3>to 5*1017 cm -> 3>, preferably 3*1017 cm -> 3>to 5*1017 cm -> 3>. The semiconductor body is partially formed of a Czochralski semiconductor material or magnetic Czochralski semiconductor material. An independent claim is also included for a method for manufacturing a dopant region in a semiconductor body.