Non-volatile memory device e.g. electrically EPROM (EEPROM) for portable computer has circuit which simultaneously applies voltage signals having same rising slope over defined period of time, to selected and unselected word lines

The non-volatile memory device (100) has a three-dimensional (3D) memory cell array (110) having word lines (WL) that extend from lowest memory cell array layer to highest memory cell array farthest from substrate. A high voltage generator (120) generates voltage signals (VS-1,VS-2) while a row selecting circuit (130) simultaneously applies voltage signal (VS-1) to selected word line and applies voltage signal (VS-2) to unselected word line. The selected and unselected word lines have different resistances while applied voltage signals has same rising slope over defined period of time. Die Erfindung bezieht sich auf ein nicht-flüchtiges Speicherbauelement mit einem dreidimensionalen (3D) Speicherzellenfeld. Ein nicht-flüchtiges Speicherbauelement gemäß der Erfindung beinhaltet ein 3D-Speicherzellenfeld (110) mit einer Mehrzahl von Speicherzellen, die in einer Mehrzahl von auf einem Substrat derart gestapelten Speicherzellenfeldschichten angeordnet sind, dass sich Wortleitungen über die Speicherzellenfeldschichten von einer untersten Schicht am nächsten zu dem Substrat bis zu einer obersten Schicht am weitesten entfernt von dem Substrat erstrecken, einen Spannungsgeneratorschaltkreis (120), der ein erstes und ein zweites Spannungssignal erzeugt, und einen Zeilenauswahlschaltkreis (130), der gleichzeitig das erste Spannungssignal an eine ausgewählte Wortleitung und ein zweites Spannungssignal an eine nicht ausgewählte Wortleitung anlegt, wobei die ausgewählte Wortleitung und die nicht ausgewählte Wortleitung unterschiedliche Widerstandswerte aufweisen. Der Zeilenauswahl- und/oder der Spannungsgeneratorschaltkreis ist so konfiguriert, dass er das erste Spannungssignal an die ausgewählte Wortleitung und das zweite Spannungssignal an die nicht ausgewählte Wortleitung mit einer gleichen Anstiegsflanke über eine definierte Zeitspanne hinweg anlegt. Verwendung z. B. in Speichersystemen von tragbaren elektronischen Geräten.