Halbleitervorrichtung

Eine Halbleitervorrichtung, aufweisend:ein Halbleitersubstrat (101, 210, 301, 401) mit einer ersten Oberflächenseite und einer zweiten Oberflächenseite, wobei das Halbleitersubstrat einen Elementbereich (30, 330, 430) hat, mit einem IGBT-Bereich (Xi) und einem Diodenbereich (Xf), der benachbart dem IGBT-Bereich liegt;ein IGBT-Element (100), das in dem IGBT-Bereich ausgebildet ist, wobei das IGBT-Element eine Emitterelektrode (107) an einer ersten Oberflächenseite, eine Gateelektrode (105) an der ersten Oberflächenseite und eine Kollektorelektrode (113) an der zweiten Oberflächenseite hat;ein Diodenelement (20), das in dem Diodenbereich ausgebildet ist, wobei das Diodenelement einen ersten Halbleiterbereich (204) eines ersten Leitfähigkeitstyps an der ersten Oberflächenseite oder der zweiten Oberflächenseite und einen zweiten Halbleiterbereich (221) eines zweiten Leitfähigkeitstyps an der anderen von erster oder zweiter Oberflächenseite hat;einen stark dotierten Bereich (40, 208, 340, 440) des ersten Leitfähigkeitstyps, der an der ersten Oberflächenseite um den Elementbereich herum angeordnet ist;einen Absorptionsbereich (22, 222, 322, 422, 522) des ersten Leitfähigkeitstyps, der an der zweiten Oberflächenseite um den Elementbereich herum angeordnet ist; undeinen dritten Halbleiterbereich (523) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der an der zweiten Oberflächenseite um den Elementbereich herum angeordnet ist, wobeiin dem Diodenbereich (Xf) auf der zweiten Oberflächenseite ein Bereich gebildet ist, in dem der Absorptionsbereich (22) des ersten Leitfähigkeitstyps und der zweite Halbleiterbereich (21) des zweiten Leitfähigkeitstyps gemischt sind und in dementweder der Absorptionsbereich (22) des ersten Leitfähigkeitstyps oder der zweite Halbleiterbereich (21) des zweiten Leitfähigkeitstyps unterteilt und angeordnet ist, oderder Absorptionsbereich (22) des ersten Leitfähigkeitstyps und der zweite Halbleiterbereich (21) des zweiten Leitfähigkeitstyps abwechselnd angeordnet sind, und/oderin einem Außenkantenbereich des Elementbereichs (30, 330, 430) auf der zweiten Oberflächenseite ein Bereich gebildet ist, in dem der Absorptionsbereich (22, 222, 322, 422, 522) des ersten Leitfähigkeitstyps und der zweite Halbleiterbereich (21) des zweiten Leitfähigkeitstyps gemischt und in einer Matrix aus Reihen und Spalten angeordnet sind. A semiconductor device includes a semiconductor substrate with a first surface and a second surface. The semiconductor substrate has an element