Dünnfilmtransistor

Dünnfilmtransistor (300; 400), mit einer ersten Elektrode (301-1; 401-1), einer zweiten Elektrode (301-2; 401-2), einer Steuerelektrode (304; 404), einer Isolatorschicht (305; 405) und einem Halbleiterdünnfilm (303; 403), die auf einem Substrat (109) gebildet sind, wobei die Steuerelektrode (304; 404) an einer Seite (112) an die Isolatorschicht (305; 405) angrenzt und der Halbleiterdünnfilm (303; 403) an einer gegenüberliegenden Seite (114) an die Isolatorschicht (305; 405) angrenzt, wobei die erste und die zweite Elektrode (301-1, 301-2; 401-1, 401-2) an den Halbleiterdünnfilm (303; 403) angrenzen, und wobei durch Variation des Potentials der Steuerelektrode (304; 404) ein Kanal in dem Halbleiterdünnfilm (303; 403) ausbildbar und wieder entfernbar ist, durch den ein elektrischer Widerstand zwischen der ersten und zweiten Elektrode (301-1, 301-2; 401-1, 401-2) kontrolliert wird, wobei ein an den Halbleiterdünnfilm (303; 403) angrenzender Abschnitt (111-1) der ersten Elektrode (301-1; 401-1) auf einer dem Substrat (109) zugewandten Seite (116) des Halbleiterdünnfilms (303; 403) angeordnet ist und ein an den Halbleiterdünnfilm (303; 403) angrenzender Abschnitt (111-2) der zweiten Elektrode (301-2; 401-2) auf einer von dem Substrat (109) abgewandten Seite (118) des Halbleiterdünnfilms (303; 403) angeordnet ist, wobei eine Dicke (D) von zumindest einer der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode (301-1, 301-2; 401-1, 401-2) größer als die Hälfte der Dicke (S) des Halbleiterdünnfilms (303; 403) ist, wobei zwischen der ersten oder zweiten Elektrode (301-1, 301-2; 401-1, 401-2) und dem Halbleiterdünnfilm (303; 403) ein Isolator (310; 320; 330; 410; 420) angeordnet ist, um einen Leckstrom zwischen der ersten Elektrode (301-1; 401-1) und der zweiten Elektrode (301-2; 401-2) zu verhindern oder zu reduzieren. A thin film transistor comprises a first electrode, a second electrode, a control electrode, an insulator layer and a semiconductor thin film configured on a substrate. The control electrode adjoins the insulator layer on one side, and the semiconductor thin film adjoins the insulator layer on an opposite side. The first and second electrodes adjoin the semiconductor thin film. A channel in the semiconductor film through which an electrical resistance between the first and second electrodes is reduced can be controlled by varying the potential of the control electrode. A section of the first electrode adjoining the semiconductor thin film is arranged on a sid