Interference lithography device for use in patterning of light exit surface of wafer for high brightness LED, has phase/blaze grating with low period length, for coherent superposition of sub-beams in image plane

The interference lithography device (1) has an illumination device (2) for providing the radiation beam (3). A phase/blaze grating (4) with high period length (P1) is arranged in downstream of the illumination device for diffracting the radiation beam into two sub-beams (3a,3b). A phase/blaze grating (9) with low period length (P2) is arranged in downstream of the grating (4), for coherent superposition of the sub-beams in an image plane (7). An independent claim is included for method for producing interference pattern by interference lithography. Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) für die Interferenzlithographie, umfassend: eine Beleuchtungseinrichtung (2) zur Bereitstellung von Belichtungsstrahlung (3), ein der Beleuchtungseinrichtung (2) nachgeordnetes erstes Gitter (4) mit einer ersten Periodenlänge (P1) zur Beugung der Belichtungsstrahlung (3) in mindestens zwei einer gemeinsamen Beugungsordnung (-1, +1) zugeordnete Teilstrahlen (3a, 3b), sowie ein dem ersten Gitter (4) nachgeordnetes zweites Gitter (9) mit einer zweiten, von der ersten verschiedenen Periodenlänge (P2) zur kohärenten Überlagerung der Teilstrahlen (3a, 3b) in einer Bildebene (7). Die Erfindung betrifft auch ein zugehöriges Verfahren zum Erzeugen eines Interferenzmusters (8).