Verfahren zum Bearbeiten von Defekten eines optischen Elements für den EUV Bereich

Verfahren zum Bearbeiten von zumindest einem Defekt eines optischen Elements (200, 300, 400, 500, 600) für den extremen ultravioletten Wellenlängenbereich, aufweisend zumindest ein Substrat (210, 610), zumindest eine Mehrschichtstruktur (205, 605) und zumindest eine Absorberstruktur (240), das Verfahren umfassend:Lokales Verändern der Reflexion der Mehrschichtstruktur (205, 605) im Bereich des zumindest einen Defekts mit einem Elektronenstrahl (310, 410, 510), wobei das lokale Verändern der Reflexion der Mehrschichtstruktur (205, 605) ein Erzeugen zumindest einer lokalen Modifikation (330, 430, 530) optischer Eigenschaften in der Mehrschichtstruktur (205, 605) umfasst, und der zumindest eine Defekt einen Defekt der Absorberstruktur (240) umfasst. The method involves locally changing reflection of a multilayer structure (205) at a region of a defect with electron beam, where the defect comprises insulated local defect and/or deviation of a parameter of an optical element i.e. extreme UV mask (200), over a partial region of the element. A barrier layer in the multilayer structure is changed by modifications in the multilayer structure. Interaction depth of the beam in the multilayer structure is adjusted by selection of suitable energy of the beam, where the multilayer structure comprises molybdenum layers (220) and silicon layers (225). An independent claim is also included for a device for processing defects of an optical element for an extreme UV wavelength range.