Verfahren zum Herstellen einer Gate-Graben-Struktur

Es werden Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen solcher Vorrichtungen beschreiben. Die Halbleitervorrichtungen umfassen ein Substrat mit einem Graben in einem oberen Teil davon, eine Gate-Isolationsschicht auf einer Seitenwand und einem Boden des Grabens, und einem leitfähigen Gate aus einem amorphen Silizium- oder Polysilizium-Material auf der Gate-Oxidschicht. Das amorphe Silizium oder die Polysilizium-Schicht kann mit Stickstoff, ebenso wie mit B- und/oder P-Dotierstoffen dotiert werden, welche durch Mikrowellen aktiviert worden sind. Die Vorrichtungen können durch Bereitstellen eines Grabens in der oberen Fläche eines Halbleiter-Substrats, Bilden einer Gate-Isolationsschicht auf der Graben-Seitenwand und dem Boden, und Abscheiden einer dotierten amorphen Silizium- oder Polysiliziumschicht auf der Gate-Isolationsschicht, und dann Aktivieren der abgeschiedenen amorphen Silizium- oder Polysiliziumschicht bei geringen Temperaturen unter Verwendung von Mikrowellen hergestellt werden. Die resultierende Polysilizium- oder amorphe Siliziumschicht umfasst weniger Hohlräume (Voids), was auf die verringerte Si-Kornbewegung zurück zu führen ist. Es werden weitere Ausführungsformen beschrieben. Semiconductor devices and methods for making such devices are described. The semiconductor devices contain a substrate with a trench in an upper portion thereof, a gate insulating layer on a sidewall and bottom of the trench, and a conductive gate of an amorphous silicon or polysilicon material on the gate oxide layer. The amorphous silicon or polysilicon layer can be doped with nitrogen, as well as B and/or P dopants, which have been activated by microwaves. The devices can be made by providing a trench in the upper surface of a semiconductor substrate, forming a gate insulating layer on the trench sidewall and bottom, and depositing a doped amorphous silicon or polysilicon layer on the gate insulating layer, and then activating the deposited amorphous silicon or polysilicon layer at low temperatures using microwaves. The resulting polysilicon or amorphous silicon layer contains fewer voids resulting from Si grain movement. Other embodiments are described.