Verfahren zum Definieren einer Trennstruktur in einem Halbleiterbauelement

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Abscheiden (102) einer ersten Materialschicht (204) über einem Halbleitersubstrat (202);Abscheiden (104) einer Maskenmaterialschicht (206) über der ersten Materialschicht (204);Abscheiden (106) einer ersten Fotolackschicht (208) über der Maskenmaterialschicht (206);Belichten (108) der ersten Fotolackschicht (208) unter Verwendung einer ersten Maske, um die erste Fotolackschicht (208) zu strukturieren;Entwickeln (110) und Spülen der ersten Fotolackschicht (208), um erste Abschnitte der Maskenmaterialschicht (206) zu exponieren;Ätzen (112) der exponierten ersten Abschnitte der Maskenmaterialschicht (206), wodurch mehrere erste und zweite Strukturmerkmale und Trennstrukturen zwischen den ersten Strukturmerkmalen ausgebildet werden, wobei die ersten Strukturmerkmale Strukturen für das Halbleiterbauelement aufweisen und die zweiten Strukturmerkmale Belichtungshilfestrukturmerkmale aufweisen;Ablösen (114) der ersten Fotolackschicht (208);Abscheiden (116) einer zweiten Fotolackschicht (210) über der geätzten Maskenmaterialschicht;Belichten (118) der zweiten Fotolackschicht (210) unter Verwendung einer zweiten Maske, um die zweite Fotolackschicht (210) zu strukturieren;Entwickeln (120) und Spülen der zweiten Fotolackschicht (210), um zweite Abschnitte der geätzten Maskenmaterialschicht zu exponieren;Ätzen (122) der exponierten zweiten Abschnitte der geätzten Maskenmaterialschicht, wodurch die zweiten Strukturmerkmale entfernt werden und die Trennstrukturen zwischen den ersten Strukturmerkmalen weiter definiert werden, sodass die Auflösung zwischen den ersten Strukturmerkmalen verbessert wird;Ablösen (124) der zweiten Fotolackschicht (210); undÄtzen (126) exponierter Abschnitte der ersten Materialschicht (204), um die Struktur der Maskenmaterialschicht (206) zu der ersten Materialschicht (204) zu übertragen. A method includes depositing a material layer over a semiconductor substrate and using a first mask in a first exposure/patterning process to pattern the material layer thereby forming a plurality of first and second features. The first features include patterns for the semiconductor device and the second features include printing assist features. The method includes using a second mask in a second exposure/patterning process to effectively remove the second features from the material layer and to define at least one separating structure between two first features.