Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren hierfür und Halbleitergehäuse, das die Halbleitervorrichtung aufweist

Halbleitervorrichtung (1, 2), aufweisend:ein Halbleitersubstrat (10), welches eine erste Oberfläche (11) und eine zweite Oberfläche (12) gegenüber der ersten Oberfläche (11) hat, wobei die zweite Oberfläche (12) einen Umverdrahtungsgraben (103, 104) definiert, wobei das Halbleitersubstrat (10) ein Durchgangsloch (16) hat, welches sich dadurch erstreckt;eine Durchkontaktierung (23), welche in dem Durchgangsloch (16) angeordnet ist, wobei die Durchkontaktierung (23) eine Durchgangsloch-Isolierschicht (22) und eine Sperrschicht (24) aufweist, welche nacheinander folgend an einer inneren Wand (17) des Durchgangslochs (16) gebildet sind, wobei die Durchkontaktierung (23) weiterhin einen leitfähigen Verbinder (26) aufweist, welcher benachbart zu der Sperrschicht (24) ist;ein Isolierschichtmuster (35), welches auf der zweiten Oberfläche (12) des Halbleitersubstrats (10) gebildet ist, wobei das Isolierschichtmuster (35) eine Öffnung (33) definiert, welche einen Bereich einer oberen Oberfläche der Durchkontaktierung (23) freilegt; undeine Umverdrahtungsschicht (45), welche in dem Umverdrahtungsgraben (103, 104) angeordnet ist und elektrisch mit der Durchkontaktierung (23) verbunden ist,wobei das Isolierschichtmuster (35) einen Bereich des leitfähigen Verbinders (26) überlappt,wobei obere Oberflächen der Sperrschicht (24) und der Durchgangsloch-Isolierschicht (22) auf im Wesentlichen der gleichen Höhe positioniert sind wie ein benachbarter Bereich der zweiten Oberfläche (12) des Halbleitersubstrats (10), undwobei eine obere Oberfläche des leitfähigen Verbinders (26) niedriger ist als obere Oberflächen der Sperrschicht (24) und der Durchgangsloch-Isolierschicht (22). In one embodiment, a semiconductor device includes a semiconductor substrate having a first surface, and a second surface opposite to the first surface. The second surface defines a redistribution trench. The substrate has a via hole extending therethrough. The semiconductor device also includes a through via disposed in the via hole. The through via may include a via hole insulating layer, a barrier layer, sequentially formed on an inner wall of the via hole. The through via may further include a conductive connector adjacent the barrier layer. The semiconductor device additionally includes an insulation layer pattern formed on the second surface of the substrate. The insulation layer pattern defines an opening that exposes a region of a top surface of the through via. The semiconductor devices includes