Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten

Vorrichtung (1) zum Behandeln von Substraten (2), die folgendes aufweist: ein Gehäuse (3), das eine Prozesskammer (8) umgibt; wenigstens eine Substrataufnahme (10) in dem Gehäuse (3); eine rohrförmige, erste Mikrowellenelektrode (30) zum Erzeugen eines Plasmas, wobei eine Rohrachse der ersten Mikrowellenelektrode (30) auf die Substrataufnahme (10) gerichtet ist; eine Bewegungseinheit, welche die erste Mikrowellenelektrode (30) trägt und geeignet, ist die erste Mikrowellenelektrode (30) so zu bewegen, dass die Rohrachse die Substrataufnahme (10) überstreicht; eine erste Gasführung (42) mit einem ersten Auslass, der sich in die erste Mikrowellenelektrode (30) öffnet und auf die Substrataufnahme (10) gerichtet ist; eine zweite Gasführung (40), die die erste Gasführung (42) wenigstens teilweise umgibt und einen zweiten Auslass aufweist, der koaxial zum ersten Auslass ausgerichtet ist, wobei die erste und zweite Gasführung (42, 40) mit der Bewegungseinheit verbunden sind, um gemeinsam mit der ersten Mikrowellenelektrode (30) bewegt zu werden, und wobei die erste und zweite Gasführung (42, 40) mit unterschiedlichen Gasquellen verbindbar sind; und wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50), wobei die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50) und/oder die Substrataufnahme (10) bewegbar sind, um ein auf der Substrataufnahme (10) befindliches Substrat (2) in einem Wirkbereich der wenigstens einen zweiten Mikrowellenelektrode (50) oder außerhalb des Wirkbereichs anzuordnen.