Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. Dementsprechend wird eine Grabenverarbeitungsfolge geändert und werden Schichten zur Absorption der mechanischen Spannung aufgetragen. Es wird eine flache Grabenstruktur geätzt. Es wird eine tiefe Grabenstruktur geätzt. In der tiefen Grabenstruktur und in der flachen Grabenstruktur wird ein Zwischenlagenoxid aufgetragen. Auf das Zwischenlagenoxid wird eine amorphe Polysiliciumzwischenlage abgelagert. Auf die amorphe Polysiliciumzwischenlage wird eine Nitridzwischenlage aufgetragen und der tiefe und der flache Graben werden mit Oxid gefüllt. The invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device. Accordingly, the trench processing sequence is changed and stress absorbing layers are applied. A shallow trench structure is etched. A deep trench structure is etched. A liner oxide is applied in the deep and shallow trench structure. An amorphous polysilicon liner is deposited on top of the liner oxide. A nitride liner is applied on top of the amorphous polysilicon liner, and the deep and shallow trenches are filled with oxide.