Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Solarzelle

Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Solarzelle mit in einer Oberfläche eines Silizium-Substrats durch Dotierung erzeugtem Emitter und auf dem Emitter lokal vorgesehenen Metallkontaktbereichen, wobei ein Dotierstoff-Quellmaterial flächig. auf die Substratoberfläche aufgeschichtet und ein erster Dotierstoff-Eintreibschritt ausgeführt und danach die Schicht des Dotierstoff-Quellmaterials gemäß den vorgesehenen Metallkontaktbereichen strukturiert und im strukturierten Zustand ein zweiter Dotierstoff-Eintreibschritt ausgeführt wird, wobei zur Passivierung des Emitters ein im zweiten Dotierstoff-Eintreibschritt ausgebildete Oxidschicht mindestens mit einem Teil ihrer Dicke auf dem Emitter belassen und auf das verbliebene Oxid eine Nitridschicht aufgebracht wird. Method for producing a silicon solar cell comprising an emitter produced in a surface of a silicon substrate by doping, and comprising metal contact regions locally provided on the emitter, wherein a dopant source material is stacked areally onto the substrate surface and a first dopant drive-in step is performed and then the layer of the dopant source material is structured in accordance with the metal contact regions provided and a second dopant drive-in step is performed in the structured state, wherein, for passivating the emitter, an oxide layer formed in the second dopant drive-in step is left at least with part of its thickness on the emitter and a nitride layer is applied to the residual oxide.