Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung

Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung, aufweisend die folgenden Schritte: (a) Ausbilden eines aktiven Bereichs einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung durch Ionenimplantierung einer Dotierung in eine Oberfläche eines Siliziumcarbid-Wafers (CW); (b) Ausbilden eines Graphitfilms (GF) auf einer gesamten Oberfläche des Siliziumcarbid-Wafers, welcher erhalten wird, nachdem der aktive Bereich ausgebildet ist, und auf einer gesamten Oberfläche eines Silizium-Wafers (SW), welcher als Kontrolleinheit für die Filmdicke verwendet wird, durch chemische Gasphasenabscheidung; und (c) Ermitteln der Dicke des Graphitfilms, wobei der Schritt (b) den Schritt des Ausbildens des Graphitfilms bei einer Filmbildungstemperatur von 800°C oder mehr und 950°C oder niedriger durch die chemische Gasphasenabscheidung umfasst, der Schritt (c) den Schritt des Bestimmens der Dicke des Graphitfilms, welcher auf dem Siliziumcarbid-Wafer ausgebildet ist, durch Messen der Dicke des Graphitfilms, der auf dem Silizium-Wafer ausgebildet ist, umfasst. A wafer WF is mounted in a substrate holder, and the substrate holder is placed in a film forming furnace. The film forming furnace is evacuated by a vacuum pump through a gas discharge part to remove remaining oxygen as completely as possible. Then, a temperature in the film forming furnace is heated to a range of 800° C. to 950° C. under reduced pressure while an inert gas such as Ar or helium (He) is being introduced through a gas introduction part. When the temperature reaches this temperature range, an inflow of the inert gas is stopped. Vaporized ethanol is introduced as a source gas into the film forming furnace through the gas introduction part, thus forming a graphite film on an entire surface of the wafer WF.