Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit HCI-Zugabe zur Unterdrückung parasitären Wachstums

Vorrichtung zum Abscheiden von II-VI- oder III-V-Halbleiterschichten auf einem oder mehreren Substraten (4), mit einem Reaktorgehäuse aufweisend eine im Reaktorgehäuse angeordnete Prozesskammer (1), einen in der Prozesskammer (1) angeordneten, sich in Horizontalrichtung erstreckenden Suszeptor (2) zur Aufnahme des Substrates (4), eine Heizeinrichtung (18) zum Aufheizen des Suszeptors (2) auf eine Suszeptortemperatur (Ts), ein Gaseinlassorgan (7), das der Prozesskammer (1) zugeordnet ist, um, ggf. zusammen mit jeweils einem Trägergas, Prozessgase in Form einer V- oder VI-Komponente, insbesondere eines Hydrids, einer metallorganischen II- oder III-Komponente und einer Halogenkomponente in die Prozesskammer (1) einzuleiten, eine parallel zum Suszeptor (2) angeordneten Prozesskammerdecke (6) und eine Gasauslasseinrichtung (16) zum Austritt von Reaktionsprodukten und ggf. des Trägergases aus der Prozesskammer (1), mit einer Gasmisch/-Versorgungseinrichtung (34) aufweisend eine Quelle (31) für die metallorganische Komponente, eine Quelle (30) für die V- oder VI-Komponente, insbesondere für das Hydrid, und eine Quelle (32) für die Halogenkomponente, wobei die Quellen (30, 31, 32) über Förderleitungen (19, 20, 21), die von einer Steuereinrichtung gesteuerte Ventile (26, 27, 28) und Massenflussregler (22, 23, 24) aufweisen, mit dem Gaseinlassorgan (7) verbunden sind, um die metallorganische Komponente, die V- oder VI-Komponente, insbesondere das Hydrid, und die Halogenkomponente in voneinander getrennten Gasflüssen ggf. jeweils zusammen mit dem Trägergas in die aufgeheizte Prozesskammer (1) zu bringen, wobei das Gaseinlassorgan (7) mehrere voneinander getrennte, vertikal übereinander angeordnete Gaseinlasszonen (8, 9, 10) aufweist, wobei eine Halogenkomponenteneinlasszone (10), die mit der Halogenkomponentenquelle (32) verbunden ist, stromaufwärts unmittelbar vor einem beheizten Oberflächenabschnitt (15) der Prozesskammer angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Halogenkomponenteneinlasszone (10) die einem in der Vorlaufzone (V) liegenden Oberflächenabschnitt (15) des Suszeptors (2) am nächsten liegende, unterste Gaseinlasszone ist. The invention relates to a device and a method for depositing II-VI- or III-V-semi conductor layers on one or more substrates (4). Said device comprises a reactor housing having a treatment chamber (1) arranged in the reactor housing, a susceptor (2) arranged in the process chamber (1) for receiving the substrate (4), a heating