Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit einer eingebetteten Sigma-förmigen Halbleiterlegierung mit erhöhter Gleichmäßigkeit

Verfahren mit: Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (260a) auf einem ersten aktiven Gebiet (202a) und einer zweiten Gateelektrodenstruktur (260b) auf einem zweiten aktiven Gebiet (202b), wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur (260a, 260b) einen ersten Abstandshalter (265) und ei...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	KRONHOLZ, STEPHAN, HORSTMANN, MANFRED, AMON, JUERGEN
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
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