Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit einer eingebetteten Sigma-förmigen Halbleiterlegierung mit erhöhter Gleichmäßigkeit
Verfahren mit: Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (260a) auf einem ersten aktiven Gebiet (202a) und einer zweiten Gateelektrodenstruktur (260b) auf einem zweiten aktiven Gebiet (202b), wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur (260a, 260b) einen ersten Abstandshalter (265) und ei...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Verfahren mit: Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (260a) auf einem ersten aktiven Gebiet (202a) und einer zweiten Gateelektrodenstruktur (260b) auf einem zweiten aktiven Gebiet (202b), wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur (260a, 260b) einen ersten Abstandshalter (265) und eine dielektrische Deckschicht (264) aufweisen; Bilden einer Ätzstoppbeschichtung (266a) über der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur (260a, 260b); Bilden eines zweiten Abstandshalters (266s) aus einer Abstandshalterschicht (266b) selektiv auf der ersten Gateelektrodenstruktur (260a) und Bewahren der Abstandshalterschicht (266b) über der zweiten Gateelektrodenstruktur (260b) und dem zweiten aktiven Gebiet (202a); Bilden eines verformungsinduzierenden Halbleitermaterials (252) in dem ersten aktiven Gebiet (202a) und Verwenden des zweiten Abstandshalters (266s) als eine Maske, wobei sich das verformungsinduzierende Halbleitermaterial (252) lateral unter den zweiten Abstandshalter (266s) erstreckt; Entfernen der Abstandshalterschicht (266b) und des zweiten Abstandshalters (266s) und Verwenden der Ätzstoppbeschichtung (266a) als einen Ätzstopp; Ausführen eines Ätzprozesses derart, dass die Ätzstoppbeschichtung (266a) nach dem Entfernen des zweiten Abstandshalters (266s) und der Abstandshalterschicht (266b) abgetragen wird; Entfernen der dielektrischen Deckschicht (264) in der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur (260a, 260b); und Bilden von Drain- und Sourcegebieten in dem ersten und dem zweiten aktiven Gebiet (202a, 202b). |
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