Komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter-Bildsensor, Datenausleseverfahren davon und elektronisches System mit demselben

Ein komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter(CMOS)-Bildsensor (100) und ein Pixeldatenausleseverfahren desselben werden bereitgestellt. Der CMOS-Bildsensor (100) enthält: eine erste Ausleseleitung (LINE1), die Pixeldaten von einer geteilten Pixelgruppe in einer ungeradzahligen Zeile (ROW1, ROW3) einer Spalte einer Pixelmatrix (110) in einem Bayer-Muster während einer horizontalen Periode ausgibt; und eine zweite Ausleseleitung (LINE2), die Pixeldaten von einer geteilten Pixelgruppe in einer geradzahligen Zeile (ROW3) der Spalte der Pixelmatrix (110) während der horizontalen Periode ausgibt, wobei während der horizontalen Periode an die erste und zweite Ausleseleitung (LINE1, LINE2) abgegebene Pixeldaten einem grundlegenden Bayer-Muster (110A) entsprechen und Pixel, von denen Pixeldaten in jeder Spalte ausgelesen werden, sich zu jeder horizontalen Periode sequentiell in einer Spaltenrichtung verschieben. A complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor and a pixel data readout method of the same are provided. The CMOS image sensor includes: a first readout line which outputs pixel data from a shared pixel group in an odd row of a column of a pixel array in a Bayer pattern during a horizontal period; and a second readout line which outputs pixel data from a shared pixel group in an even row of the column of the pixel array during the horizontal period, wherein pixel data output to the first and second readout lines during the horizontal period correspond to a basic Bayer pattern and pixels from which pixel data are read out in each column sequentially shifts in a column direction at each horizontal period.