Method of forming marking in semiconductor wafer used in manufacture of solar cell, involves irradiating laser beam in region of wafer surface portions arranged in cutting block, at acute angle to form marking
The method involves providing a fixed ingot on a cutting block (3) of device wafer cutting saw such that ingot is sawed in extension direction (Z). A laser beam (2) is irradiated in the region of wafer surface portions (4) arranged in the cutting block, at an acute angle so that a marking is formed...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; ger |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | The method involves providing a fixed ingot on a cutting block (3) of device wafer cutting saw such that ingot is sawed in extension direction (Z). A laser beam (2) is irradiated in the region of wafer surface portions (4) arranged in the cutting block, at an acute angle so that a marking is formed on the wafer surface portion. An independent claim is included for device for marking semiconductor wafer.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Markierung von Halbleiterwafern. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass ein Strahl elektromagnetischer Strahlung und/oder Teilchenstrahlung im Bereich der Waferzwischenräume in einem spitzen Winkel derart auf einen der Waferoberflächenabschnitte gelenkt wird, dass durch den Strahl auf dem Waferoberflächenabschnitt eine Markierung generiert wird. |
---|