Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

Es wird ein Halbleiterbauteil vorgeschlagen, umfassend: ein Grundsubstrat; eine auf dem Grundsubstrat gebildete Halbleiterschicht mit einem Mesa-Vorsprung, der eine Aufnahmenut umfasst; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die voneinander beabstandet auf der Halbleiterschicht angeordnet sind; wobei die Source-Elektrode einen Source-Abschnitt und die Drain-Elektrode einen Drain-Abschnitt aufweist; und eine von der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode isolierte Gate-Elektrode mit einer vertieft in der Aufnahmenut angeordneten Vertiefung, wobei der Mesa-Vorsprung eine Supergitterstruktur aufweist umfassend wenigstens eine Rinne an einer Zwischenfläche zwischen dem Mesa-Vorsprung und der Source-Elektrode und zwischen dem Mesa-Vorsprung und der Drain-Elektrode, und wobei der Source-Abschnitt und der Drain-Abschnitt in der Rinne aufgenommen sind. There is provided a semiconductor device including a base substrate; a semiconductor layer formed on the base substrate and having a mesa protrusion including a receiving groove; a source electrode and a drain electrode disposed to be spaced apart from each other on the semiconductor layer, the source electrode having a source leg and the drain electrode having a drain leg; and a gate electrode insulated from the source electrode and the drain electrode and having a recess part received into the receiving groove. The mesa protrusion has a superlattice structure including at least one trench at an interface between the mesa protrusion and the source electrode and between the mesa protrusion and the drain electrode, respectively, and the source leg and the drain leg are received in the trench.