Submodul und Leistungshalbleitermodul

Ein Submodul (22b) fur ein Leistungshalbleitermodul (2) enthalt - zumindest einen Teil eines Trägers (6), - eine auf dem Teil des Tragers (6) angeordnete Leiterbahn (24), - eine auf der Leiterbahn (24) aufgebrachte monolithisch integrierte Halbleiterstruktur (26), die - eine die Halbleiterstruktur (26) mit der Leiterbahn (24) verbindende Kontaktierungsflache (50), - einen ersten (28a) und zweiten Anschluss (28b) und einen zwischen diese Anschlüsse (28a, b) geschalteten integrierten ohmschen Widerstand (40), und - einen dritten Anschluss (28c) und eine zwischen diesen (28c) und den zweiten Anschluss (28b) geschaltete integrierte Doppeldiodenstruktur (38) enthalt. Ein Leistungshalbleitermodul (2) enthalt - ein erstes Submodul (22b) gemaß oben, und - einen einen Steuereingang (21) aufweisenden, auf dem Trager (6) angeordneten, und mit diesem ein zweite Submodul (22a) bildenden Leistungshalbleiter (8), wobei - das erste Submodul (22b) in unmittelbarer Nahe zum Leistungshalbleiter (8) auf dem Träger (6) platziert ist, und - der Steuereingang (21) mit dem zweiten Anschluss (28b) des ersten Submoduls (22b) verbunden ist. The submodule (22b) has a strip conductor (24) located on a part of a carrier (6), and an integrated semiconductor structure (26) applied on the conductor. The structure is connected with the conductor via flat contacts. A switched integrated ohmic resistor is integrated between two terminals (28a, 28b). A switched integrated dual diode structure is arranged between a terminal (28c) and one of the former terminals. The diode structure extends from a bottom face as a vertical structure towards an upper face, where the bottom face turns towards the semiconductor structure. An independent claim is also included for a power semiconductor module comprising a control input.