Verfahren und Anordnung zur Gasführung an rotierenden Magnetrons in Vakuumbeschichtungsanlagen

Verfahren zur Gasführung an rotierenden Magnetrons in Vakuumbeschichtungsanlagen wobei ein rotierendes Magnetron ein Rohrtarget (2) aufweist, wobei ein Substrat (9) in einer quer zur axialen Richtung (5) des rotierenden Magnetrons (1) verlaufenden Längserstreckung (10) der Vakuumbeschichtunganlage a...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	LINSS, VOLKER, TESCHNER, GÖTZ
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren zur Gasführung an rotierenden Magnetrons in Vakuumbeschichtungsanlagen wobei ein rotierendes Magnetron ein Rohrtarget (2) aufweist, wobei ein Substrat (9) in einer quer zur axialen Richtung (5) des rotierenden Magnetrons (1) verlaufenden Längserstreckung (10) der Vakuumbeschichtunganlage an dem rotierenden Magnetron (1) vorbei geführt wird und sich entlang der Längserstreckung des rotierenden Magnetrons (1) in axialer Richtung (5) ein Plasma über einem Racetrack (8) mit einem in Drehrichtung (6) des Rohrtargets (2) vorderen (a) und hinteren Plasmazonenteil (b) ausbildet und wobei Reaktivgas beiderseits entlang der Längserstreckung in axialer Richtung (5) des Rohrtargets (2) in den Prozessraum eingeleitet wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Reaktivgasfluss auf beiden Seiten getrennt voneinander steuerbar so eingestellt wird, dass das Verhältnis des Flusses des Reaktivgases auf beiden Seiten zueinander eine gleiche Stöchiometrie des Plasmas über dem Racetrack einstellt.