Verfahren zum Herstellen von Silizium-Wafern, Silizium Wafer und Verwendung eines Silizium-Wafer als Silizium-Solarzelle

Verfahren zum Herstellen von Silizium-Wafern umfassend die Schritte: - Bereitstellen eines Silizium-Einkristall-Keims im Bodenbereich eines Tiegels, wobei der Silizium-Einkristall-Keim eine Keimfläche mit einer -Kristallorientierung senkrecht zum Bodenbereich des Tiegels und eine Kantenfläche mit ei...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	STENZENBERGER, JOSEF, WALTER, JULIANE, KRAUSE, ANDREAS, DIETRICH, MARC
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren zum Herstellen von Silizium-Wafern umfassend die Schritte: - Bereitstellen eines Silizium-Einkristall-Keims im Bodenbereich eines Tiegels, wobei der Silizium-Einkristall-Keim eine Keimfläche mit einer -Kristallorientierung senkrecht zum Bodenbereich des Tiegels und eine Kantenfläche mit einer -Kristallorientierung parallel zu einer Seitenfläche des Tiegels besitzt; - Aufschmelzen von Reinstsilizium und Bereitstellen im Tiegel; - Erstarren des flüssigen Reinstsiliziums ausgehend vom Bodenbereich des Tiegels auf der Keimfläche des Silizium-Einkristall-Keims, wobei der sich bildende Siliziumblock die -Kristallorientierung weitgehend übernimmt; und - Zerteilen des Siliziumblocks in Wafer derart, dass eine Waferfläche eine -Kristallorientierung aufweist, wobei jeweils zwei gegenüberliegende Waferkanten in der Waferebene parallel zur [110]-Kristallrichtung verlaufen.