Halbleiterbauelement mit einer Chipumrandung mit gradueller Strukturdichte

Es wird eine Chipumrandung eines Halbleiterbauelements mit einer variierenden Strukturdichte so vorgesehen, dass ein Gradient zwischen dem Chipgebiet und der Chipumrandung geringer ist. Folglich wird bei einer vorgegebenen Breite der Chipumrandung eine erforderliche mechanische Stabilität erreicht, während gleichzeitig Unterschiede in der Topografie zwischen dem Chipgebiet und der Chipumrandung reduziert werden, wodurch zu besseren Prozessbedingungen für komplexe Lithografieprozesse beigetragen wird. A die seal of a semiconductor device may be provided with a varying pattern density such that a gradient between the die region and the die seal may be reduced. Consequently, for a given width of the die seal, a required mechanical stability may be achieved, while at the same time differences in topography between the die region and the die seal may be reduced, thereby contributing to superior process conditions for sophisticated lithography processes.