Ein Leistungsschalterbauelement mit verbesserter Temperaturverteilung

Es wird ein Leistungsschalterbauelement mit einem Halbleiterschalter und einer auf eine Kontaktzone des Halbleiterschalters aufgebrachten Kontaktierung (14) eingeführt. Die Kontaktzone weist dabei eine Halbleiterschicht und eine auf die Halbleiterschicht aufgebrachte Metallisierung (13) auf. Erfindungsgemäß besitzt die Halbleiterschicht wenigstens ein leitendes Gebiet (11) und wenigstens ein direkt unter der Metallisierung (13) angeordnetes nicht leitendes Gebiet (12). A power switch component having a semiconductor switch and a contacting applied to a contact zone of the semiconductor switch is introduced. The contact zone has a semiconductor layer and a metal plating applied to the semiconductor layer. The semiconductor layer has at least one conducting region and at least one non-conducting region situated directly under the metal plating.