Leistungshalbleiterbauelement mit zweistufigem Dotierungsprofil

Die Anmeldung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement mit einem pn-Übergang, mit einem Grundkörper erster Basisleitfähigkeit, einem horizontal mittig in dem Grundkörper angeordneten wannenförmigen Gebiet zweiter Leitfähigkeit mit einem ersten zweistufigen Dotierungsprofil und mit einer erster Eindringtiefe von der ersten Hauptfläche in den Grundkörper hinein. Weiterhin weist dieses Leistungshalbleiterbauelement eine, zwischen dem wannenförmigen Gebiet und seinem Rand angeordnete, Randstruktur aus einer Mehrzahl von Feldringen mit einstufigem Dotierungsprofil, zweiter Leitfähigkeit und zweiter Eindringtiefe auf, wobei die erste Eindringtiefe beträgt maximal 50 von 100 der zweiten Eindringtiefe beträgt. The component (1) has a horizontally centered tub-shaped section (10) arranged in a main body (2). A passivation layer (32) is arranged between a set of body parts (42). Another set of body parts (44) is laterally spaced from the main body and horizontally projected above a field ring (20) along direction of an edge of the component. The body parts are formed on a conductive form body (40). Another passivation layer (34) is arranged above the former passivation layer. A layer of silicon nitride is arranged between the passivation layers.