Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von polykristallinen Siliziumblöcken

Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Siliziumblocks, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Anordnen eines Schmelztiegels innerhalb einer Prozesskammer, wobei der Schmelztiegel mit festem Siliziummaterial gefüllt ist oder in der Prozesskammer mit Siliziummaterial befüllt wird; Aufheizen des festen Siliziummaterials im Schmelztiegel über die Schmelztemperatur des Siliziummaterials, um eine Siliziumschmelze im Schmelztiegel zu bilden; Absenken eines in der Prozesskammer befindlichen Plattenelements, das wenigstens eine Durchgangsöffnung für eine Gaszuführung aufweist; Abkühlen der Siliziumschmelze im Schmelztiegel unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums; und Leiten einer Gasströmung auf die Oberfläche der Siliziumschmelze im Schmelztiegel während wenigstens eines zeitlichen Abschnitts innerhalb des Zeitraums der Erstarrung der Siliziumschmelze, wobei die Gasströmung wenigstens teilweise über die wenigstens eine Durchgangsöffnung in dem Plattenelement auf die Oberfläche der Siliziumschmelze gerichtet wird, gekennzeichnet durch Befestigen von zusätzlichem festen Siliziummaterial an dem Plattenelement vor dem Aufheizen des Siliziummaterials im Schmelztiegel derart, dass wenigstens ein Teil des... A crucible is filled with silicon material and is arranged in a process chamber. The silicon material in the crucible is melted and is subsequently cooled below the solidification temperature. During a time period, a plate element that has at least one passage may be arranged over the molten silicon in the crucible, and a gas flow may be directed onto the surface of the molten silicon at least partially via the at least one passage. Alternatively a crucible arrangement includes a crucible and a holding ring arranged on or above a crucible filled with silicon material. Additional silicon material may be received and held above the crucible by the holding ring. During the heating of the silicon material in the crucible and the holding ring, molten silicon is formed in a crucible, which is subsequently cooled below the solidification temperature of the silicon.