Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiterschicht

Verfahren zur Herstellung einer I-III-VI Verbindungshalbleiterschicht (80), bei welchem ein Substrat (50) mit einer Beschichtung (63) versehen wird (10, 12), welche eine metallische Vorgängerschicht (57) aufweist, die Beschichtung (63) erwärmt und für die Dauer einer Prozesszeit auf Temperaturen von...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	EISENMANN, LORENZ, SCHMID, DIETER, KOETSCHAU, IMMO, KAMPMANN, ANDREAS
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren zur Herstellung einer I-III-VI Verbindungshalbleiterschicht (80), bei welchem ein Substrat (50) mit einer Beschichtung (63) versehen wird (10, 12), welche eine metallische Vorgängerschicht (57) aufweist, die Beschichtung (63) erwärmt und für die Dauer einer Prozesszeit auf Temperaturen von mindestens 350°C gehalten wird (16) und dabei die metallische Vorgängerschicht (57) unter Anwesenheit eines Chalkogens (58; 72) in die Verbindungshalbleiterschicht (80) umgewandelt wird (16), wobei zwischen einem überwiegenden Anteil (15a) einer freien Oberfläche (15a, 15b; 25) der Beschichtung (63) und einer Abdeckung (60; 70) während der Prozesszeit zumindest zeitweise ein flächiger Kontakt bereitgestellt wird (14; 24).