Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht auf einem Bauelement
Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht (DS) auf der Oberfläche eines Bauelements, die eine erste Topografie mit erhabenen Strukturen aufweist, - bei dem über den Strukturen ganzflächig eine dielektrische Schicht mit Hilfe eines Schichtabscheidungsprozesses in kantenbedeckender Weise...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht (DS) auf der Oberfläche eines Bauelements, die eine erste Topografie mit erhabenen Strukturen aufweist, - bei dem über den Strukturen ganzflächig eine dielektrische Schicht mit Hilfe eines Schichtabscheidungsprozesses in kantenbedeckender Weise aufgebracht wird, so dass die Oberfläche der abgeschiedenen dielektrischen Schicht eine zweite Topografie aufweist - bei dem auf die dielektrische Schicht ganzflächig eine Polymerschicht (LS) ausreichender Dicke und mit einer planen Oberfläche aufgebracht wird - bei dem ein Ätzverfahren durchgeführt wird, wobei ein gewünschtes Ätzratenverhältnis von dielektrischer Schicht zu Lackschicht eingestellt wird - bei dem das Ätzverfahren so lange durchgeführt wird, bis die Oberfläche der dielektrischen Schicht nach vollständigem Entfernen der Polymerschicht (LS) eine gewünschte dritte Topografie aufweist - bei dem eine Bauelementeigenschaft, die von der Dicke oder der dritten Topografie der dielektrischen Schicht abhängig ist, mittels eines Trimmverfahrens nachjustiert wird, wobei im Trimmverfahren eine Trimmschicht auf die dritte Topografie aufgebracht wird.
A method for producing a dielectric layer on the surface of a component is described. In particular embodiments, a dielectric layer having a planar surface can be generated over a substrate topography having raised structures. In a trimming process, a component property, which depends on the thickness or the third topography of the dielectric layer, is adjusted. |
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