Wavelength-stabilized semiconductor laser diode for emitting continuous terahertz laser radiation, has plan-parallel plate made of optical transparent material, where plate does not have direct contact to emitted radiation

The diode has an arrangement of a semiconductor laser diode (7) and a plan-parallel plate i.e. etalon (4), made of optical transparent material, where the plate does not have a direct contact to a radiation (10) emitted from a laser exit surface. The thickness of the plan-parallel plate is chosen such that spectral spacing between two neighboring resonance wavelengths is larger than the spectral reinforcing bandwidth of the laser diode. Two surfaces of the plan-parallel plate form an angle with respect to each other, which is smaller than a divergence angle of the radiation. Wellenlängenstabilisierte Laserdioden lassen sich mit den herkömmlichen Techniken nur auf eine einzige Wellenlänge stabilisieren. Wenn eine Strahlung mit zwei Wellenlängen mit definiertem Wellenlängenabstand benötigt werden, werden zurzeit zwei, auf unterschiedliche Wellenlängen stabilisierte Laserdioden überlagert. Mit dem externen Einsatz von Etalons (außerhalb des Resonators) lassen sich Laserdioden mit mehreren Wellenlängen simultan betreiben. Die Dicke der Etalons muss dabei so gewählt werden, dass die freie spektrale Breite der Etalons kleiner als die Verstärkungsbandbriete der Laserdiode ist.