Optoelektronischer Halbleiterchip

Optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer auf GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN basierenden, epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (1), die aufweist:- eine p-dotierte Schichtenfolge (2),- eine n-dotierte Schichtenfolge (4),- eine aktive Zone (3), die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist und die sich zwischen der p-dotierten Schichtenfolge (2) undder n-dotierten Schichtenfolge (4) befindet, und- mehreren auf AlxGa1-xN basierenden Zwischenschichten (5a, 5b) mit 0 < x ≤ 1, die sich an derselben Seite der aktiven Zone (3) wie die n-dotierte Schichtenfolge (4) befinden,wobei- eine spezifische Chemikaliendurchlässigkeit der Zwischenschichten (5a, 5b), insbesondere gegenüber Flüssigkeiten, kleiner ist als für an die Zwischenschichten (5a, 5b) angrenzende Schichten (4, 7, 15, 17) der Halbleiterschichtenfolge (1),- die Zwischenschichten (5a, 5b) Erhebungen (50) aufweisen, die sich in Risse und/oder Löcher (14) in an die Zwischenschichten (5a, 5b) angrenzende Schichten (4, 7, 15, 17) der Halbleiterschichtenfolge (1) erstrecken, und- die Erhebungen (50) wenigstens stellenweise in direktem Kontakt zu Begrenzungsflächen der Risse und/oder Löcher (14) stehen und zumindest ein Teil oder alle der Risse und/oder Löcher (14) vollständig von der zugeordneten Zwischenschicht (5a, 5a) überdeckt sind,- die aktive Zone (3) von einer elektrischen Durchkontaktierung (10) durchdrungen ist, und- die elektrische Durchkontaktierung (10) eine der Zwischenschichten (5b) durchdringt und eine weitere der Zwischenschichten (5a) ununterbrochen und durchgängig ist. An optoelectronic semiconductor chip includes an epitaxially grown semiconductor layer sequence based on GaN, InGaN, AlGaN and/or InAlGaN, a p-doped layer sequence, an n-doped layer sequence, an active zone that generates an electromagnetic radiation and is situated between the p-doped layer sequence and the n-doped layer sequence, and at least one AlxGa1-xN-based intermediate layer where 0