Verfahren zur Bestimmung von Parametern einer Proximity-Funktion, insbesondere für die Korrektur des Proximity-Effekts bei der Elektronenstrahllithografie

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung von Parametern einer Proximity-Funktion bei der Elektronenstrahl-Lithografie. Die Bestimmung der Parameter erfolgt dabei auf Basis mindestens eines Testmusters und von Messergebnissen, die aus einer Vermessung von mit dem Testmuster erzeugten Strukturen erhalten werden. Beim vorgeschlagenen Verfahren wird als Testmuster eine frequenzmodulierte periodische Struktur eingesetzt, die bei der Bestimmung der Parameter mit einer Fourier-Reihen-Entwicklung dargestellt wird. Das Verfahren ermöglicht die Bestimmung der Proximity-Parameter mit einem geringeren zeitlichen und experimentellen Aufwand als bisher bekannte Verfahren.