Anordnung zur Gasseparation und deren Verwendung

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Gasseparation für Vakuumbeschichtungsanlagen mit mehreren Prozessbereichen, insbesondere bei CVD-Anlagen zur Beschichtung von flachen und/oder bandförmigen Substraten, mit einem das Substrat umschließenden flachen Tunnel durch eine Separationskammer, der mit...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	REPPE, THOMAS, SCHREIER, SEBASTIAN, KREHER, SASCHA, KOEHLER, LUTZ
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BLASTING CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL CYLINDERS DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVEFUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS HEATING INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL LIGHTING MECHANICAL ENGINEERING METALLURGY PISTONS SEALINGS SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION THERMAL INSULATION IN GENERAL WEAPONS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Gasseparation für Vakuumbeschichtungsanlagen mit mehreren Prozessbereichen, insbesondere bei CVD-Anlagen zur Beschichtung von flachen und/oder bandförmigen Substraten, mit einem das Substrat umschließenden flachen Tunnel durch eine Separationskammer, der mit Gaszu- und -ableitungen versehen ist. Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Anordnung zur Gasseparation für Anlagen mit mehreren Prozessbereichen, insbesondere bei CVD-Anlagen zur Beschichtung und Dotierung von flachen und/oder bandförmigen Substraten mit amorphem Silizium zu schaffen, mit der eine besonders gute und sorgfältige Gasseparation gewährleistet wird. Erreicht wird das dadurch, dass im Tunnel (2) zwei Umlenkeinrichtungen (4, 4') zur Führung des Substrates (3) in einem vorgegebenen Abstand zueinander angeordnet sind, derart, dass die Umlenkeinrichtungen (4, 4') den Querschnitt des Tunnels (2) einengen und dass zwischen den Umlenkeinrichtungen (4, 4') und neben diesen jeweils ein Gaseinlass (9, 9') und dazwischen eine Saugöffnung (10) für eine Vakuumpumpe zur Ausbildung einer Gasströmung (13) angeordnet sind.