Thyristor mit verbesserter Robustheit gegen ein Abkommutieren mit hoher Stromsteilheit kurz nach einem Zündereignis und Verfahren zur Herstellung eines solchen Thyristors

Thyristor mit- einem Halbleiterkörper (1);- einem Kathodenbereich (3), in dem in einer vertikalen Richtung (v) ausgehend von einer Rückseite (12) des Halbleiterkörpers (1) hin zu einer Vorderseite (11) des Halbleiterkörpers (1) aufeinander folgend ein p-dotierter Emitter (8), eine n-dotierte Basis (7), eine p-dotierte Basis (6) und ein n-dotierter Emitter (5) angeordnet sind, wobei die seitliche Begrenzung des Kathodenbereichs (3) durch die seitliche Begrenzung des n-dotierten Emitters (5) gegeben ist;- einem Zündbereich (2), der eine Zündeinrichtung (10, 92) zum Zünden des Thyristors (100) umfasst, und der sich senkrecht zur vertikalen Richtung (v) an den Kathodenbereich (3) anschließt und mit diesem eine gemeinsame Grenzfläche (23) aufweist;- einem senkrecht zur vertikalen Richtung (v) entlang der Grenzfläche (23) verlaufenden Grenzabschnitt (4) des Halbleiterkörpers (1), der einen ersten Randabschnitt (21) des Zündbereichs (2) umfasst, welcher auf der dem Kathodenbereich (3) zugewandten Seite des Zündbereichs (2) angeordnet und durch die Grenzfläche (23) begrenzt ist, und/oder einen zweiten Randabschnitt (31) des Kathodenbereichs (3), welcher auf der dem Zündbereich (2) zugewandten Seite des Kathodenbereichs (3) angeordnet und durch die Grenzfläche (23) begrenzt ist;wobei- der Zündbereich (2) einen Hauptabschnitt (22) aufweist, der durch den außerhalb des ersten Randabschnittes (21) angeordneten Abschnitt des Zündbereichs (2) gebildet ist;- der Kathodenbereich (3) einen Hauptabschnitt (32) aufweist, der durch den außerhalb des zweiten Randabschnittes (31) angeordneten Abschnitt des Kathodenbereichs (3) gebildet ist;- die Ladungsträgerlebensdauer (τ) im Halbleiterkörper (1) entlang einer zur vertikalen Richtung (v) senkrechten ersten lateralen Achse (a), die außerdem an zumindest einer Stelle (S1) der Grenzfläche (23) senkrecht zur Grenzfläche (23) verläuft, ein in dem Grenzabschnitt (4) angeordnetes lokales Minimum (τ) aufweist. The thyristor (100) has a semiconductor body (1) and a cathode region (3), in which a positively doped emitter (8), a negatively doped base (7), a positively doped base (6) and a negatively doped emitter (5) are arranged on top of each other in a vertical direction. An ignition region (2) is provided with an ignition device for igniting the thyristor. The cathode region has a main section (32), which is formed by a section of the cathode region. An independent claim is also included for a method for manufacturing a thyristor.