Elektrisch gepumpter optoelektronischer Halbleiterchip

Elektrisch gepumpter optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit- mehreren strahlungsaktiven Quantentrögen (2), die InGaN umfassen oder hieraus bestehen, und- mehreren Deckschichten (4) aus AlGaN,wobei- jede der Deckschichten (4) genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet ist,- sich die Deckschichten (4) je an einer p-Seite der strahlungsaktiven Quantentröge (2) befinden,- ein Abstand zwischen den strahlungsaktiven Quantentrögen (2) und den zugeordneten Deckschichten (4) höchstens 1,5 nm beträgt,- ein Al-Gehalt der Deckschichten (4) zwischen einschließlich 40 % und 70 % liegt,- sich eine Schichtenabfolge (8) zwischen einschließlich dreimal und zwanzigmal wiederholt und die Schichtenabfolge (8) aus den unmittelbar in der angegebenen Reihenfolge aufeinander folgenden Schichten besteht: dem strahlungsaktiven Quantentrog (2), einer Zwischenschicht (3) aus GaN, der Deckschicht (4) und einer Barriereschicht (5) aus GaN,- die Zwischenschichten (3) eine Dicke zwischen einschließlich 0,3 nm und 1,2 nm aufweisen,- zumindest zwei benachbarte strahlungsaktive Quantentröge (2) eine voneinander abweichende mittlere Bandlücke aufzeigen, wobei die Abweichung zwischen einschließlich 0,03 eV und 0,20 eV beträgt. An electrically pumped optoelectronic semiconductor chip includes at least two radiation-active quantum wells comprising InGaN or consisting thereof. The optoelectronic semiconductor chip includes at least two cover layers which include AlGaN or consist thereof. Each of the cover layers is assigned to precisely one of the radiation-active quantum wells. The cover layers are each located on a p-side of the associated radiation-active quantum well. The distance between the radiation-active quantum well and the associated cover layer is at most 1.5 nm.