Bauelement mit verringerter freier Ladungsträger-Lebensdauer

Halbleiterbauelement, umfassend: einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate mit einer Body-Region (105) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einem zur Body-Region (105) benachbarten Gate (125), einer ersten stark dotierten Kontaktregion (115) des ersten Leitfähigkeitstyps, die in der Body-Region (105) und in Kontakt mit einer oberen Kontaktschicht (120) angeordnet ist, eine Driftzone (135) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die unter der Body-Region (105) angeordnet ist, und eine zweite stark dotierte Kontaktregion (140) des ersten Leitfähigkeitstyps, die zwischen der Driftzone (135) und einer unteren Kontaktschicht (145) angeordnet ist; eine Diode mit einer mindestens teilweise durch die Body-Region (105) gebildeten Anode und einer mindestens teilweise durch eine oder mehrere in der zweiten stark dotierten Kontaktregion (140) gebildete Regionen (150) des zweiten Leitfähigkeitstyps gebildeten Kathode; und eine in der Driftzone (135) gebildete Bestrahlungszone (160, 560, 660, 760), wobei die Bestrahlungszone (160, 560, 660, 760) mindestens zwei Bereichsenderegionen (162, 166, 562, 566, 662, 666, 772, 776, 784) und...