Durch-Substrat-Via-Halbleiterkomponenten

Verfahren zum Ausbilden einer Durch-Substrat-Via-Halbleiterkomponente, wobei das Verfahren folgendes aufweist:teilweises Füllen einer Öffnung (250) in einem Substrat (10) mit einem Füllmaterial (50);Ausbilden einer ersten Isolierschicht (60) über dem Füllmaterial (50), um einen Spalt (g) über der Öf...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Birner, Albert, Seidel, Uwe, Kunstmann, Thomas, Hoeckele, Uwe
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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