Durch-Substrat-Via-Halbleiterkomponenten

Verfahren zum Ausbilden einer Durch-Substrat-Via-Halbleiterkomponente, wobei das Verfahren folgendes aufweist:teilweises Füllen einer Öffnung (250) in einem Substrat (10) mit einem Füllmaterial (50);Ausbilden einer ersten Isolierschicht (60) über dem Füllmaterial (50), um einen Spalt (g) über der Öffnung (250) auszubilden;Ausbilden einer zweiten Isolierschicht (70) zum Schließen des Spalts, wodurch innerhalb der Öffnung (250) ein eingeschlossener Hohlraum (90) ausgebildet wird; undVerdünnen des Substrats (10) durch Materialabtrag an seiner Rückseite, so dass eine untere Oberfläche des Füllmaterials (50) freigelegt wird. A structure and method of forming through substrate vias in forming semiconductor components are described. In one embodiment, the invention describes a method of forming the through substrate via by filling an opening with a first fill material and depositing a first insulating layer over the first fill material, the first insulating layer not being deposited on sidewalls of the fill material in the opening, wherein sidewalls of the first insulating layer form a gap over the opening. The method further includes forming a void by sealing the opening using a second insulating layer.