Aufsputterverfahren und Chip

Aufsputterverfahren, das folgende Merkmale aufweist: Bereitstellen eines Sputtergases, das Krypton oder Xenon umfasst; und Beschleunigen von Ionen eines Plasmas des Sputtergases hin zu einem Zielmaterial (140), wobei das Zielmaterial (140) Gold und Zinn aufweist.

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	SPORN, MARTIN
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Aufsputterverfahren, das folgende Merkmale aufweist: Bereitstellen eines Sputtergases, das Krypton oder Xenon umfasst; und Beschleunigen von Ionen eines Plasmas des Sputtergases hin zu einem Zielmaterial (140), wobei das Zielmaterial (140) Gold und Zinn aufweist.