Vorrichtung zur Untersuchung einer Oberfläche eines Objekts
Teilchenstrahlgerät (1), mit - einer ersten Teilchenstrahlsäule (2), die einen ersten Strahlerzeuger (5) zur Erzeugung eines Elektronenstrahls und ein erstes Strahlführungssystem (13, 16, 37) aufweist, - einer zweiten Teilchenstrahlsäule (45), die einen zweiten Strahlerzeuger (38) zur Erzeugung eine...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Teilchenstrahlgerät (1), mit - einer ersten Teilchenstrahlsäule (2), die einen ersten Strahlerzeuger (5) zur Erzeugung eines Elektronenstrahls und ein erstes Strahlführungssystem (13, 16, 37) aufweist, - einer zweiten Teilchenstrahlsäule (45), die einen zweiten Strahlerzeuger (38) zur Erzeugung eines Ionenstrahls und ein zweites Strahlführungssystem (41, 43, 44) aufweist, - mindestens einer Probenkammer (3), - mindestens einem in der Probenkammer (3) angeordneten Objekt (4) mit einer Oberfläche, auf welcher sich ein vorgebbarer Ort befindet, zu dem der erste Teilchenstrahl mittels des ersten Strahlführungssystems (13, 16, 37, 41, 43, 44) und der zweite Teilchenstrahl mittels des zweiten Strahlführungssystems (41, 31, 44) führbar sind, - mindestens einer ersten Gaszuführungseinheit (18, 20, 21, 23, 25, 26, 28) zur Zuführung eines ersten Gases zum vorgebbaren Ort, wobei das erste Gas einer Ladungsneutralisierung am vorgebbaren Ort auf der Oberfläche des Objekts (4) und/oder einer Ladungsverteilung weg vom vorgebbaren Ort auf der Oberfläche des Objekts (4) dient und einen ersten Partialdruck größer oder gleich 20 Pa aufweist, wobei in der Probenkammer (3) ein Gesamtdruck kleiner oder gleich 1 Pa herrscht, wobei der erste Partialdruck des ersten Gases der lokale Partialdruck am vorgebbaren Ort bzw. in der unmittelbaren Umgebung am vorgebbaren Ort ist, und wobei der Gesamtdruck der über einen größeren Teil des Volumens der Probenkammer (3) gemittelte Druck ist, - mindestens einer zweiten Gaszuführungseinheit (18, 20, 21, 23, 25, 26, 28) zur Zuführung eines zweiten Gases zum vorgebbaren Ort auf der Oberfläche des Objekts (4), wobei das zweite Gas zur Bearbeitung der Oberfläche des Objekts (4) an dem vorgebbaren Ort und/oder zur Entfernung einer Kontamination des Objekts (4) vorgesehen ist, wobei - das zweite Gas einen zweiten Partialdruck aufweist, der im Bereich von 0,01 Pa bis 0,5 Pa liegt, - der erste Partialdruck höher als der zweite Partialdruck ist, und wobei das Teilchenstrahlgerät (1) mindestens eines der folgenden Merkmalskombinationen aufweist: (i) zusätzlich mindestens einen Detektor (14), mindestens eine Hochspannungsversorgungseinheit (46) zum Anlegen einer Hochspannung zwischen dem Detektor (14) und dem Objekt (4) sowie mindestens eine Steuerungseinheit (47), welche den Zufluss des ersten Gases und/oder des zweiten Gases und die Hochspannungsversorgungseinheit (46) steuert, wobei die Steuerungseinheit (47) derart ausgelegt ist, dass in mindestens e |
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