Halbleiter-Gehäuse und Verfahren zur Befestigung von Halbleiterchips an Substraten

Ein Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips auf einem Substrat mit einer Lötmittel-Maske auf einer ersten Oberfläche umfasst es, einen Chip auf der Lötmittel-Maske zu platzieren und den Chip durch Anwendung von Druck und Hitze am Substrat zu befestigen. Der angewendete Druck liegt im Bereich einer Verbindungskraft von ungefähr 5 bis 10 kg, die Hitze liegt im Temperaturbereich von ungefähr 150 bis 200°C, und der Druck wird im Bereich von ungefähr 1 bis 10 Sekunden angewendet. A method of mounting a semiconductor die on a substrate with a solder mask on a first surface includes placing a die on the solder mask, and mounting the die to the substrate by applying pressure and heat. The applied pressure ranges from a bond force of approximately 5 to 10 kgf, the heat has a temperature range from approximately 150 to 200° C. and the pressure is applied for a range of approximately 1 to 10 seconds.