Verfahren zum Fertigen einer rippenförmigen Halbleiterstruktur sowie zum Fertigen eines Halbleiterbauelements
A fin-shaped structure is formed from a semiconductor material. The fin-shaped structure is processed to generate a tensile strain within the semiconductor material along a longitudinal direction of the fin.
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | ger |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Zusammenfassung: | A fin-shaped structure is formed from a semiconductor material. The fin-shaped structure is processed to generate a tensile strain within the semiconductor material along a longitudinal direction of the fin. |
|---|