Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer SOI-Vorrichtung, Halbleitervorrichtung und SOI-Vorrichtung

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist eine SOI-Vorrichtung eine erste Verbundstruktur auf, welche aufweist eine Substratschicht, eine Substratisolationsschicht, welche auf oder über der Substratschicht angeordnet ist, eine vergrabene Schicht, welche auf oder über der Substratisolationsschicht angeordnet ist, und eine Halbleiterschicht, welche auf oder über der vergrabenen Schicht angeordnet ist; eine Grabenstruktur, welche innerhalb der ersten Verbundstruktur ausgebildet ist; und eine zweite Verbundstruktur, welche auf den Seitenwänden der Grabenstruktur bereitgestellt ist, wobei die zweite Verbundstruktur aufweist eine erste Isolationsschicht, welche den Teil der Seitenwände, welcher durch die Halbleiterschicht gebildet wird und durch einen oberen Teil der vergrabenen Schicht gebildet wird, bedeckt; und eine Kontaktschicht, welche die erste Isolationsschicht und den Teil der Seitenwände, welcher durch einen unteren Teil der vergrabenen Schicht gebildet wird, bedeckt.