Alignment accuracy determining method for use during connection of microelectromechanical system wafers, involves deriving alignment accuracy from measured electrical characteristics of lower contact-structure and upper contact structure

The method involves designing a lower contact-structure (10) such that the contact structure exhibits two different relative positions and an upper contact structure (9) of different electrical characteristics. The characteristics are measurable at a lower wafer (1) and upper wafer (2) i.e. covering wafer, via one of connection pads (12) after connection of wafers. The electrical characteristics of the lower contact structure are measured via the pads after the connection, and alignment accuracy is derived from the measured electrical characteristics of the lower and upper structures. Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Justagegenauigkeit beim Waferbonden, bei dem auf einer Seite des ersten Wafers, die beim Verbinden zum zweiten Wafer gerichtet ist, mindestens eine elektrisch leitfähige Teststruktur aufgebracht wird und auf einer zweiten Seite des zweiten Wafers, die beim Verbinden zum ersten Wafer gerichtet ist, mindestens ein elektrisch leitfähiges Testelement an einer Stelle aufgebracht wird, die nach dem Verbinden der beiden Wafer im Bereich der Teststruktur liegt. Die Teststruktur ist so ausgebildet, dass sie bei wenigstens zwei unterschiedlichen relativen Lagen von Teststruktur und Testelement unterschiedliche elektrische Eigenschaften aufweist, die nach dem Verbinden der beiden Wafer über mindestens zwei Anschlusselemente messbar sind. Die elektrischen Eigenschaften der Teststruktur werden über die mindestens zwei Anschlusselemente gemessen, um aus den gemessenen elektrischen Eigenschaften die Justagegenauigkeit abzuleiten. Das vorgeschlagene Verfahren ermöglicht eine schnelle und automatisierte Bestimmung der Justagegenauigkeit beim Waferbonden.