Verfahren zum thermischen Ausheilen und elektrischen Aktivieren implantierter Siliziumcarbidhalbleiter

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum thermischen Ausheilen von Gitterdefekten und elektrischen Aktivieren von Dotierstoffionen eines durch Implantation von Dotierstoffionen dotierten Siliziumcarbidhalbleiters (11), bei dem durch eine erste Wärmebehandlung eine Graphitdeckschicht auf wenigstens e...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	HOELZLEIN, KARLHEINZ, MITLEHNER, HEINZ, PETERS, DETHARD
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum thermischen Ausheilen von Gitterdefekten und elektrischen Aktivieren von Dotierstoffionen eines durch Implantation von Dotierstoffionen dotierten Siliziumcarbidhalbleiters (11), bei dem durch eine erste Wärmebehandlung eine Graphitdeckschicht auf wenigstens einer Oberfläche des Siliziumcarbidhalbleiters erzeugt wird und der mit einer Graphitdeckschicht versehene Siliziumcarbidhalbleiter einer zweiten Wärmebehandlung unterzogen wird, wobei die erste und zweite Wärmebehandlung in einem selben Ofen (1) durchgeführt werden und wobei die Umgebung (9) des Siliziumcarbidhalbleiters (11) während der ersten Wärmebehandlung evakuiert wird.