Verfahren zum Ausbilden einer dielektrischen Schicht

Verfahren zum Ausbilden einer dielektrischen Schicht

Verfahren, umfassend: Ausbilden (420) einer zweiten Schicht (301) über einer ersten Schicht (302); Ausbilden (424) einer Maske (304) über der zweiten Schicht (301); Entfernen (428) eines Abschnitts der Maske (304), um einen Abschnitt der zweiten Schicht (301) zu exponieren; Ausbilden (440) eines amo...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Jaschke, Gert, Tilke, Armin, Stapelmann, Chris
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator Jaschke, Gert
Tilke, Armin
Stapelmann, Chris
description Verfahren, umfassend: Ausbilden (420) einer zweiten Schicht (301) über einer ersten Schicht (302); Ausbilden (424) einer Maske (304) über der zweiten Schicht (301); Entfernen (428) eines Abschnitts der Maske (304), um einen Abschnitt der zweiten Schicht (301) zu exponieren; Ausbilden (440) eines amorphen dielektrischen Materials auf der exponierten zweiten Schicht (301) und nicht über der verbliebenen Maske (304) unter Verwendung von Atomschichtabscheidung, wobei mindestens ein Abschnitt der zweiten Schicht (301) noch von der Maske (304) bedeckt ist, und Umwandeln (448) des amorphen dielektrischen Materials in ein kristallines dielektrisches Material (310). In an embodiment of the invention, an amorphous phase dielectric material is selectively formed over a substrate. The amorphous phase dielectric material is then converted into a crystalline phase dielectric material.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE102008000373B4</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE102008000373B4</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE102008000373B43</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDAJSy1KS8woSs1TqCrNVXAsLU7KzEkB8lIz81KLFFIyU3NSs0uKMouTM4CCwckZmckZJTwMrGmJOcWpvFCam0HVzTXE2UM3tSA_PrW4IDE5NS-1JN7F1dDAyMDAwsDAwNjc2MnEmFh1AKIWLmg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Verfahren zum Ausbilden einer dielektrischen Schicht</title><source>esp@cenet</source><creator>Jaschke, Gert ; Tilke, Armin ; Stapelmann, Chris</creator><creatorcontrib>Jaschke, Gert ; Tilke, Armin ; Stapelmann, Chris</creatorcontrib><description>Verfahren, umfassend: Ausbilden (420) einer zweiten Schicht (301) über einer ersten Schicht (302); Ausbilden (424) einer Maske (304) über der zweiten Schicht (301); Entfernen (428) eines Abschnitts der Maske (304), um einen Abschnitt der zweiten Schicht (301) zu exponieren; Ausbilden (440) eines amorphen dielektrischen Materials auf der exponierten zweiten Schicht (301) und nicht über der verbliebenen Maske (304) unter Verwendung von Atomschichtabscheidung, wobei mindestens ein Abschnitt der zweiten Schicht (301) noch von der Maske (304) bedeckt ist, und Umwandeln (448) des amorphen dielektrischen Materials in ein kristallines dielektrisches Material (310). In an embodiment of the invention, an amorphous phase dielectric material is selectively formed over a substrate. The amorphous phase dielectric material is then converted into a crystalline phase dielectric material.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2016</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20160609&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102008000373B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20160609&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102008000373B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Jaschke, Gert</creatorcontrib><creatorcontrib>Tilke, Armin</creatorcontrib><creatorcontrib>Stapelmann, Chris</creatorcontrib><title>Verfahren zum Ausbilden einer dielektrischen Schicht</title><description>Verfahren, umfassend: Ausbilden (420) einer zweiten Schicht (301) über einer ersten Schicht (302); Ausbilden (424) einer Maske (304) über der zweiten Schicht (301); Entfernen (428) eines Abschnitts der Maske (304), um einen Abschnitt der zweiten Schicht (301) zu exponieren; Ausbilden (440) eines amorphen dielektrischen Materials auf der exponierten zweiten Schicht (301) und nicht über der verbliebenen Maske (304) unter Verwendung von Atomschichtabscheidung, wobei mindestens ein Abschnitt der zweiten Schicht (301) noch von der Maske (304) bedeckt ist, und Umwandeln (448) des amorphen dielektrischen Materials in ein kristallines dielektrisches Material (310). In an embodiment of the invention, an amorphous phase dielectric material is selectively formed over a substrate. The amorphous phase dielectric material is then converted into a crystalline phase dielectric material.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2016</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDAJSy1KS8woSs1TqCrNVXAsLU7KzEkB8lIz81KLFFIyU3NSs0uKMouTM4CCwckZmckZJTwMrGmJOcWpvFCam0HVzTXE2UM3tSA_PrW4IDE5NS-1JN7F1dDAyMDAwsDAwNjc2MnEmFh1AKIWLmg</recordid><startdate>20160609</startdate><enddate>20160609</enddate><creator>Jaschke, Gert</creator><creator>Tilke, Armin</creator><creator>Stapelmann, Chris</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20160609</creationdate><title>Verfahren zum Ausbilden einer dielektrischen Schicht</title><author>Jaschke, Gert ; Tilke, Armin ; Stapelmann, Chris</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102008000373B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2016</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Jaschke, Gert</creatorcontrib><creatorcontrib>Tilke, Armin</creatorcontrib><creatorcontrib>Stapelmann, Chris</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Jaschke, Gert</au><au>Tilke, Armin</au><au>Stapelmann, Chris</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Verfahren zum Ausbilden einer dielektrischen Schicht</title><date>2016-06-09</date><risdate>2016</risdate><abstract>Verfahren, umfassend: Ausbilden (420) einer zweiten Schicht (301) über einer ersten Schicht (302); Ausbilden (424) einer Maske (304) über der zweiten Schicht (301); Entfernen (428) eines Abschnitts der Maske (304), um einen Abschnitt der zweiten Schicht (301) zu exponieren; Ausbilden (440) eines amorphen dielektrischen Materials auf der exponierten zweiten Schicht (301) und nicht über der verbliebenen Maske (304) unter Verwendung von Atomschichtabscheidung, wobei mindestens ein Abschnitt der zweiten Schicht (301) noch von der Maske (304) bedeckt ist, und Umwandeln (448) des amorphen dielektrischen Materials in ein kristallines dielektrisches Material (310). In an embodiment of the invention, an amorphous phase dielectric material is selectively formed over a substrate. The amorphous phase dielectric material is then converted into a crystalline phase dielectric material.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language ger
recordid cdi_epo_espacenet_DE102008000373B4
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title Verfahren zum Ausbilden einer dielektrischen Schicht
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-03T20%3A50%3A42IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Jaschke,%20Gert&rft.date=2016-06-09&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE102008000373B4%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true