Verfahren zum Ausbilden einer dielektrischen Schicht

Verfahren, umfassend: Ausbilden (420) einer zweiten Schicht (301) über einer ersten Schicht (302); Ausbilden (424) einer Maske (304) über der zweiten Schicht (301); Entfernen (428) eines Abschnitts der Maske (304), um einen Abschnitt der zweiten Schicht (301) zu exponieren; Ausbilden (440) eines amo...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Jaschke, Gert, Tilke, Armin, Stapelmann, Chris
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren, umfassend: Ausbilden (420) einer zweiten Schicht (301) über einer ersten Schicht (302); Ausbilden (424) einer Maske (304) über der zweiten Schicht (301); Entfernen (428) eines Abschnitts der Maske (304), um einen Abschnitt der zweiten Schicht (301) zu exponieren; Ausbilden (440) eines amorphen dielektrischen Materials auf der exponierten zweiten Schicht (301) und nicht über der verbliebenen Maske (304) unter Verwendung von Atomschichtabscheidung, wobei mindestens ein Abschnitt der zweiten Schicht (301) noch von der Maske (304) bedeckt ist, und Umwandeln (448) des amorphen dielektrischen Materials in ein kristallines dielektrisches Material (310). In an embodiment of the invention, an amorphous phase dielectric material is selectively formed over a substrate. The amorphous phase dielectric material is then converted into a crystalline phase dielectric material.