Feldeffekt-Transistor mit einer Finnen-Struktur

Feldeffekt-Transistor (1300, 1400, 1500, 1600) mit einer Finnen-Struktur (1350) aufweisend: einen ersten Source/Drain-Bereich (1303, 1403, 1503, 1603) und einen zweiten Source/Drain-Bereich (1304, 1404, 1504, 1604); einen Body-Bereich (1311), welcher innerhalb der Finnen-Struktur und zwischen dem er...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Russ, Christian, Dr, Gossner, Harald, Dr, Schulz, Thomas, Dr
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Feldeffekt-Transistor (1300, 1400, 1500, 1600) mit einer Finnen-Struktur (1350) aufweisend: einen ersten Source/Drain-Bereich (1303, 1403, 1503, 1603) und einen zweiten Source/Drain-Bereich (1304, 1404, 1504, 1604); einen Body-Bereich (1311), welcher innerhalb der Finnen-Struktur und zwischen dem ersten und dem zweiten Source/Drain-Bereich ausgebildet ist; einen metallisch leitfähigen Bereich (1333, 1633), welcher innerhalb eines Teils des ersten Source/Drain-Bereichs ausgebildet ist, wobei der metallisch leitfähige Bereich an den Body-Bereich oder an einen leicht dotierten Bereich (1313), welcher zwischen dem Body-Bereich und dem ersten Source/Drain-Bereich angeordnet ist, angrenzt; und einen Strom-Ballast-Bereich (1344, 1544, 1644), welcher innerhalb eines Teils des zweiten Source/Drain-Bereichs ausgebildet ist.