Producing polycrystalline silicon, useful for photovoltaic applications, comprises conducting a gas forming silicon compound by a microstructure apparatus or a micro gap, heating and isolating the polycrystalline silicon from the gas phase

Process for producing polycrystalline silicon comprises conducting a gas forming chlorinated silane compound (I) through a microstructure apparatus or a micro gap and heated at 250-1200[deg] C, and isolating the polycrystalline silicon from the gas phase. Process for producing polycrystalline silico...

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Hauptverfasser: SINGLIAR, UTE, BERTAU, MARTIN, PAETZOLD, CARSTEN
Format: Patent
Sprache:eng ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Process for producing polycrystalline silicon comprises conducting a gas forming chlorinated silane compound (I) through a microstructure apparatus or a micro gap and heated at 250-1200[deg] C, and isolating the polycrystalline silicon from the gas phase. Process for producing polycrystalline silicon comprises conducting a gas forming chlorinated silane compound of formula (SiH xCl 4 - x) (I) by a microstructure apparatus or a micro gap and heated at 250-1200[deg] C, and isolating the polycrystalline silicon from the gas phase. x : 0-4. An independent claim is included for coating a carrier material with the silicon, comprising bringing the carrier material into the micro gap, conducting the at least one gas forming compound through the micro gap and heated at 250-1200[deg] C, and isolating the polycrystalline silicon from the gas phase on the carrier material. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium über Silanthermolyse in Mikrostrukturapparaten, wobei mindestens eine gasförmige Verbindung der allgemeinen Formel (I) SiHxCl4-x, bei der x eine Zahl von 0 bis 4 ist, durch einen Mikrostrukturapparat geleitet und dabei auf eine Temperatur von 250°C bis 1200°C erhitzt wird, wobei polykristallines Silicium aus der Gasphase abgeschieden wird. Das Verfahren erlaubt die kostengünstige und einfache Herstellung von polykristallinem Silicium. Das mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Silicium eignet sich z. B. zum Einsatz in der Photovoltaik. Bestandteil der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Beschichtung eines Trägermaterials mit Silicium, mit dem neuartige Photovoltaikmodule herstellbar sind, die z. B. eine solarelektrische dezentrale Energieversorgung von Gebäuden ermöglichen, ohne die Funktionen der zugrundeliegenden Materialien bzw. Bauelemente aufgeben zu müssen.